Компактная гибридная установка для выращивания кристаллов до 1100 °C

Name: Компактная гибридная установка для выращивания кристаллов до 1100 °C
SKU: 514-301

Компактная гибридная установка предназначена для выращивания кристаллов методами Чохральского (CZ) и Бриджмена. Она выполнена на базе двухзонной вертикальной трубчатой печи с кварцевой трубой диаметром 50,8 мм и вакуумно-герметичным фланцем. Прецизионный механизм вытягивания и вращения обеспечивает вытягивание монокристалла из расплава в тигле на затравке или перемещение вниз для выращивания кристалла через капилляр. Вакуумно-герметичная кварцевая труба и герметичный механизм вытягивания совместимы с летучими материалами и поддерживают выращивание в контролируемой атмосфере. Габариты печи составляют 860 × 740 × 2160 мм, масса установки — 105 кг.

Наименование производителя

1100 °C Max. Hybrid Compact Crystal Grower for Both CZ & Bridgman W/ Atmosphere Control - OTF-1200X-SCB

Задать вопрос Искать на Baidu

Какую задачу решает установка для выращивания кристаллов

Установка для выращивания кристаллов используется для получения монокристаллов из расплава в тигле: их вытягивают на затравке или выращивают при перемещении вниз через капилляр.

Характеристики ПИТ-87(4Ж)

Модель (по базе 91Т)ПИТ-87(4Ж)

Материал—

Размерпалета 1: 1193,8 мм × 1016 мм × 2413 мм, 249,4758035 кг

Установка для выращивания кристаллов - гибкость поставки.
Мы знаем, что задачи каждого проекта отличаются. Поэтому по вашему запросу мы готовы рассмотреть возможность адаптации технических характеристик, типоразмеров и комплектации ПИТ-87(4Ж) под конкретные условия применения (силами первого производителя или силами нашего завода в России).

Дата последней сверки данных: 26.09.26

Производитель и характеристики проверены.